Title: 非厄米陈绝缘体中的霍尔电导

Speaker: Prof. Yu Chen (陈宇)

Affiliation: Dept. of Physics, Capital Normal University

报告时间：2019年4月4日周四 14:00-15：30

报告地点：物理馆323报告厅

Abstract:

拓扑现象一般地被认为由绝缘体的能隙保护，然而近来许多关于非厄米体系的研究表明，非厄米能带体系也存在有良好定义的陈数和由此而来的拓扑保护边界态。在厄米体系中，拓扑效应的一个集中体现是量子化霍尔电导与能带陈数的关系。而在厄米体系中，如此的关系是怎样的，与非厄米陈数的关系如何却在很长时间却不为人所知。在我们的研究中，我们对非厄米陈绝缘体系统的霍尔电导给出了一般公式，建立了非厄米拓扑体系中类似于 Thouless-Kohmoto-Nightingale-de Nijs 公式。

About the Speaker:

陈宇，首都师范大学物理系副教授，主要从事冷原子物理和凝聚态强关联电子体系的理论研究。2012 年博士毕业于北京大学bat365正版唯一官网，师从田光善教授。他在清华大学高等研究院做博士后期间和合作者发现了空腔中费米子超辐射的费米面共振效应（Phys. Rev. Lett., 112, 143004 (2014)），和量子混沌中Planck常数驱动的整数量子霍尔效应（Phys. Rev. Lett., 113, 216802 Editor’s Suggestion (2014)）。前者为空腔费米子超辐射奠基，后者是混沌体系中拓扑效应的理论基础，这些发现引起了国内外多个实验组的兴趣。目前主要的研究兴趣包括空腔冷原子系统中的非平衡多体效应，多体局域化，热化, 量子混沌与Sachdev-Ye-Kitaev模型等。

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